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                先进材料◢表征方法

                 

                X射①线能谱分析(EDS) 聚焦离∩子束分析(FIB) 俄歇电子能谱』分析(AES) X射线光电子能∞谱分析(XPS)
                动态二@次离子质谱分析(D-SIMS) 飞行时间二次离子质谱分析(TOF-SIMS)

                 

                表隨后笑道面元素分析

                 

                1. 飞♂行时间二次离子质谱技术

                二次离子质谱技术(Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry,D-SIMS)是一种非常灵敏的表面分析技术,通过用一次离子激发★样品表面,打出极其微量的二』次离子,根据二次离子的质量来测定元素种类,具有极高分辨率和检出限的表面分析技术。D-SIMS可以提供↘表面,薄膜,界面以至于三维样品的元素结构信息,其特点在二次离子来自表面单个原子层(1nm以内),仅带出∑表面的化学信息,具有分析離火之晶他還沒有融入五臟之中区域小、分析深度可這洪七帶我走浅和检出限高的特点,广泛应用于物理,化学,微电子,生物,制药,空间分析等工业和研究方面㊣ 。

                 

                2. 动态二次离子质谱⊙分析(D-SIMS)可为客户解决的产品质量问题

                (1)当产品表面存在微小的异●物,而常规的成分测试方法无法准确对异物进行定性定量分析,可选择D-SIMS进行分析,D-SIMS能分析≥10μm直径的异物成分ξ 。

                (2)当产品表面膜〓层太薄,无公子法使用常规测试进行膜厚测量,可选择D-SIMS进行分析,利用D-SIMS测量≥1nm的超薄膜厚。

                (3)当产品表面☆有多层薄膜,需测量各层膜砰厚及成分,利用D-SIMS能准确测定各层薄膜厚度及组成成分。

                (4)当膜层与基材截面出现分层等问题,但是未能观察到明怎么還是鯊魚显的异物痕迹,可使用D-SIMS分析表※面超痕量物质成分,以确定截面是否存在外来污染,检出限高达ppb级别。

                (5)掺杂工艺▓中,掺杂元素的含量一般是在ppm-ppb之间,且深度可达几十微米,使用常规手段无法准确测试掺杂元素从表面到心部的浓度Ψ 分布,利用D-SIMS可以完成这方面参数测试。

                 

                3. 动态二●次离子质谱分析(D-SIMS)注意事项

                (1)样品最大规格尺寸舞了起來为1×1×0.5cm,当样品尺寸过大需切割取样,样品表面必须平整。

                (2)取样的时候避免手和取样工具接触到需要测试的位置,取下样品后使用∏真空包装或其他能隔离外界环境的包装, 避免ζ 外来污染影响分析结果。

                (3)D-SIMS测试的样品不受导电性的限制,绝缘的样品也可以测试。

                (4)D-SIMS元素分︽析范围H-U,检出限ppb级别。

                 

                4.应用实例

                样品信息:P92钢○阳极氧化膜厚度分析。

                动态二次离 可惜子质谱分析

                 

                分析结果:氧〓化膜厚度为20μm,从表面往心部成︽分分布:0-4μmFe2O3,4-9μmFe3O4,9-15μm(Fe.Cr)3O4,15-20μm合金化混合突然区。

                 

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