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                先进材料表 嘶征方法

                 

                X射线ㄨ能谱分析(EDS) 聚焦离子◤束■分析(FIB) 俄歇你竟然能把勾魂絲融入大巫術电子能谱分析(AES) X射线光电◣子能谱分析(XPS)
                动态二次离子质谱分析(D-SIMS) 飞行时间▆二次离子质谱分析(TOF-SIMS)

                 

                表面元素分析

                 

                1. 飞行时间二次离子质谱技术

                飞行时间二次离子质谱技术(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,TOF-SIMS)是一种非常灵敏的表面分析技术,通过用一次离子激发样品表面,打→出极其微量的二次离子,根据二次离子ω 因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量,具有极高分辨率的测量技术。可以广泛应用于物理,化学,微电子,生物,制药,空间分析㊣ 等工业和研究方面。TOF-SIMS可以提 往北供表面,薄膜,界面以至于三维样品的元素、分子等结构信息,其特点在二次离子来自表面单个原子层分子层(1nm以内),仅带出表面的化学信息,具有分析区」域小、分析深度浅和不破坏样品的特点,广泛应用于物理,化学,微电子,生物,制药,空间分析等工业和研究方面。

                 

                2. 飞行时间二次离子质谱低喝聲剛響起分析(TOF-SIMS)可为客户解决的产品质量问题

                (1)当产品表面存在微小普通的异物,而常规的ω成分测试方法无法准确对异物进行定性定量分析,可选择TOF-SIMS进行分析,TOF-SIMS能分析≥10μm直径的异物就是高級玄仙成分。

                (2)当产品表面膜层太薄,无法使用常规测试进行成分分析,可选择TOF-SIMS进行分析,利用TOF-SIMS可定性分析膜层的成□ 分。

                (3)当产品表面出现异物,但是未能确定异物的种类,利用TOF-SIMS成分分析,不仅可以分析出异◆物所含元素,还可以分析出异物的分子式,包括有机物分子式。

                (4)当膜层与基材截面出现分层等问题,但是未能观察到明¤显的异物痕迹,可使用TOF-SIMS分析表面痕量物质成分,以确定截面是否存在外来污染,检出卐限高达ppm级别。

                 

                3. 飞行时间二次离子质谱分析(TOF-SIMS)注意事项

                (1)样品最大规格山門尺寸为1×1×0.5cm,当样∑ 品尺寸过大需切割取样。

                (2)取样的时候避免手和取样工具接触到需█要测试的位置,取下样品后使用真空包装或其他能隔离外界环境的包装, 避免外来污染影响分析▼结果。

                (3)TOF-SIMS测试的样品不受导电性的限制,绝缘的样品也可以测试。

                (4)TOF-SIMS元素分〖析范围H-U,包含有机无机材料的元素及←分子态,检出限ppm级别。

                 

                4.应用实例

                样品信息:铜箔表面覆盖有机物钝化膜,达到暈了過去保护铜箔目的,客户端需要分析】分析苯并咪唑与铜表面结合方式 。

                飞行时间二次离子质谱分析 飞行时间二次离子质谱分析

                 

                结论:正负离子谱均出现415和416质量数的↓分子离子峰, 苯并咪唑(代号P2)分子量为175,推断结合方式为P2-Cu-P2。

                 

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